Cristal de ZnTe

Los cristales semiconductores de terahercios GaSe y ZnTe presentan un alto umbral de daño por láser y generan pulsos de THz extremadamente cortos y de alta calidad utilizando láseres de femtosegundos de alta potencia.


  • Precio FOB:€ 0,5 - 9.999 / pieza
  • Cantidad minima para ordenar:100 piezas/piezas
  • Capacidad de suministro:10000 pedazos/pedazos por mes
  • Fórmula de estructura:ZnTe
  • Densidad :5,633 g/cm³
  • Eje de cristal:110
  • Detalle del producto

    Parámetro técnico

    Cristales semiconductores de THz: los cristales de ZnTe (telururo de zinc) con orientación <110> se utilizan para la generación de THz mediante un proceso de rectificación óptica.La rectificación óptica es una generación de frecuencia diferencial en medios con una gran susceptibilidad de segundo orden.Para los pulsos de láser de femtosegundos que tienen un gran ancho de banda, los componentes de frecuencia interactúan entre sí y su diferencia produce un ancho de banda de 0 a varios THz.La detección del pulso de THz se produce mediante detección electroóptica en el espacio libre en otro cristal de ZnTe orientado <110>.El pulso de THz y el pulso visible se propagan colinealmente a través del cristal de ZnTe.El pulso de THz induce una birrefringencia en el cristal de ZnTe que se lee mediante un pulso visible polarizado linealmente.Cuando tanto el pulso visible como el pulso de THz están en el cristal al mismo tiempo, el pulso de THz rotará la polarización visible.Usando una placa de onda λ/4 y un polarizador de división de haz junto con un conjunto de fotodiodos balanceados, es posible mapear la amplitud del pulso de THz monitoreando la rotación de polarización del pulso visible después del cristal de ZnTe en una variedad de tiempos de retraso con respecto al pulso de THz.La capacidad de leer el campo eléctrico completo, tanto en amplitud como en retardo, es una de las características atractivas de la espectroscopia THz en el dominio del tiempo.ZnTe también se utiliza para sustratos de componentes ópticos IR y deposición al vacío.

    Propiedades básicas
    Fórmula de estructura ZnTe
    Parámetros de red a=6.1034
    Densidad 110