Cristales Nd:YAP

Fórmula química:YAlO3:Nd3+

Estructura cristalina:D162h

Constante de celosía:a=5,176, b=5,307, c=7,355

Índice de refracción:na=1.929, nb=1.943, nc=1.952

dn/dT:na:9,7x10-6 K-1 nc:14,5x10-6 K-1

Densidad:5,35 g/cm3

Punto de fusion:1870°C

Calor especifico:400 J/(kg·K)

Conductividad térmica:0,11 W/(cm·K)

Expansión térmica:9,5 x 10-6 K-1 (eje a) 4,3 x 10-6 K-1 (eje b) 10,8 x 10-6 K-1 (eje c)

Dureza Knoop:977 (un eje)

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Detalle del producto

Propiedades básicas

La perovskita Nd:YAP AlO3 (YAP) es un anfitrión bien conocido para láseres de estado sólido.La anisotropía del cristal de YAP ofrece numerosas ventajas. Permite una pequeña sintonización de la longitud de onda variando la dirección del vector de onda en el cristal.Además, el haz de salida está polarizado linealmente.
Ventajas de los cristales Nd:YAP:
Eficiencia de umbral y pendiente comparable a 1079 nm con Nd:YAG a 1064 nm
Mayor eficiencia a 1340 nm en comparación con Nd:YAG a 1319 nm
Haz de salida linealmente polarizado
Mayor absorción en agua y fluidos corporales de 1340 nm en comparación con 1319 nm

Fórmula química	YAlO3:Nd3+
Estructura cristalina	D162h
Constante de celosía	a=5,176, b=5,307, c=7,355
Índice de refracción	na=1.929, nb=1.943, nc=1.952
dn/dT	na:9,7×10-6 K-1 nc:14,5×10-6 K-1
Densidad	5,35 g/cm3
Punto de fusion	1870°C
Calor especifico	400 J/(kg·K)
Conductividad térmica	0,11 W/(cm·K)
Expansión térmica	9,5 x 10-6 K-1 (un eje) 4,3 x 10-6 K-1 (eje b) 10,8 x 10-6 K-1 (eje c)
Dureza Knoop	977 (un eje)

Especificaciones:

Concentración de dopante	Nd 0,7-0,9 at% para cwand pulse t 1079nm 0,85~0,95 at% para cwat 1340nmOtras concentraciones de dopantes están disponibles a pedido.
Orientación	dentro de 5°
Tamaños de varilla	Diámetro 2~10mn Longitud 20~150mm A petición del clienter
Tolerancias dimensionales	Diámetro +0,00/-0,05 mm, Longitud: ± 0,5 mm
Acabado de barril	Molido y pulido
Paralelismo	≤10″
Perpendicularidad	≤5′
Llanura	< λ/10 a 632,8 nm
Calidad de la superficie	10-5(MIL-0-13830B)
Chaflán	0,15 ± 0,05 mm
Reflectividad del revestimiento AR	< 0,25% (@W64nm)