Cristales LGS

El cristal La3Ga5SiO14 (cristal LGS) es un material óptico no lineal con un alto umbral de daño, un alto coeficiente electroóptico y un excelente rendimiento electroóptico.El cristal LGS pertenece a la estructura del sistema trigonal, tiene un coeficiente de expansión térmica más pequeño, la anisotropía de expansión térmica del cristal es débil, la temperatura de estabilidad a alta temperatura es buena (mejor que SiO2), con dos coeficientes electroópticos independientes son tan buenos como los deBBOCristales.


  • Fórmula química:La3Ga5SiQ14
  • Densidad:5,75g/cm3
  • Punto de fusion:1470℃
  • Rango de transparencia:242-3200nm
  • Índice de refracción:1,89
  • Coeficientes electroópticos:γ41=1,8 p.m./V, γ11=2,3 p.m./V
  • Resistividad:1.7x1010Ω.cm
  • Coeficientes de expansión térmica:α11=5,15x10-6/K(⊥eje Z);α33=3.65x10-6/K(∥eje Z)
  • Detalle del producto

    Propiedades básicas

    El cristal La3Ga5SiO14 (cristal LGS) es un material óptico no lineal con un alto umbral de daño, un alto coeficiente electroóptico y un excelente rendimiento electroóptico.El cristal LGS pertenece a la estructura del sistema trigonal, tiene un coeficiente de expansión térmica más pequeño, la anisotropía de expansión térmica del cristal es débil, la temperatura de estabilidad a alta temperatura es buena (mejor que SiO2), con dos coeficientes electroópticos independientes son tan buenos como los de BBO. Cristales.Los coeficientes electroópticos son estables en un amplio rango de temperaturas.El cristal tiene buenas propiedades mecánicas, sin escisión, sin delicuescencia, estabilidad fisicoquímica y tiene un rendimiento integral muy bueno.El cristal LGS tiene una amplia banda de transmisión, de 242 nm a 3550 nm y tiene una alta velocidad de transmisión.Se puede utilizar para modulación EO y EO Q-Switches.

    El cristal LGS tiene una amplia gama de aplicaciones: además del efecto piezoeléctrico, el efecto de rotación óptica, su rendimiento de efecto electroóptico también es muy superior, las células LGS Pockels tienen alta frecuencia de repetición, gran apertura de sección, ancho de pulso estrecho, alta potencia, ultra -la baja temperatura y otras condiciones son adecuadas para el interruptor LGS crystal EO Q.Aplicamos el coeficiente EO de γ 11 para fabricar celdas LGS Pockels y seleccionamos su relación de aspecto más grande para reducir el voltaje de media onda de las celdas electroópticas LGS, que pueden ser adecuadas para la sintonización electroóptica de dispositivos totalmente de estado sólido. Láser con mayores tasas de repetición de potencia.Por ejemplo, se puede aplicar al láser de estado sólido LD Nd:YVO4 bombeado con una alta potencia y energía promedio de más de 100 W, con la velocidad más alta de hasta 200 KHZ, la salida más alta de hasta 715 w, el ancho de pulso de hasta 46 ns, el continuo Salida de hasta casi 10w, y el umbral de daño óptico es 9-10 veces mayor que el del cristal LiNbO3.El voltaje de 1/2 onda y el voltaje de 1/4 de onda son más bajos que los de las celdas BBO Pockels del mismo diámetro, y el costo de material y ensamblaje es menor que el de las celdas RTP Pockels del mismo diámetro.En comparación con las células DKDP Pockels, no son solución y tienen buena estabilidad de temperatura.Las células electroópticas LGS se pueden utilizar en entornos hostiles y pueden funcionar bien en diferentes aplicaciones.

    Fórmula química La3Ga5SiQ14
    Densidad 5,75g/cm3
    Punto de fusion 1470℃
    Rango de transparencia 242-3200nm
    Índice de refracción 1,89
    Coeficientes electroópticos γ41=1,8pm/Vγ11=2,3pm/V
    Resistividad 1,7×1010Ω.cm
    Coeficientes de expansión térmica α11=5,15×10-6/K(⊥eje Z);α33=3,65×10-6/K(∥eje Z)