Interruptor Q KD*P EO

EO Q Switch altera el estado de polarización de la luz que lo atraviesa cuando un voltaje aplicado induce cambios de birrefringencia en un cristal electroóptico como KD*P.Cuando se usan junto con polarizadores, estas celdas pueden funcionar como interruptores ópticos o interruptores Q láser.


  • Voltaje de 1/4 de onda:3,3 kilovoltios
  • Error de frente de onda transmitido: < 1/8 de onda
  • RCI:>2000:1
  • Vídeo:>1500:1
  • Capacidad:6pF
  • Umbral de daño:> 500 MW/cm2 a 1064 nm, 10 ns
  • Detalle del producto

    Parámetros técnicos

    EO Q Switch altera el estado de polarización de la luz que lo atraviesa cuando un voltaje aplicado induce cambios de birrefringencia en un cristal electroóptico como KD*P.Cuando se usan junto con polarizadores, estas celdas pueden funcionar como interruptores ópticos o interruptores Q láser.
    Proporcionamos interruptores EO Q basados ​​en tecnología avanzada de revestimiento y fabricación de cristales. Podemos ofrecer una variedad de interruptores EO Q de longitudes de onda láser que exhiben una alta transmisión (T>97%), un alto umbral de daño (>500W/cm2) y un alto índice de extinción. (>1000:1).
    Aplicaciones:
    • Sistemas láser OEM
    • Láseres médicos/cosméticos
    • Plataformas láser versátiles de I+D
    • Sistemas láser militares y aeroespaciales

    Características Beneficios
    Calidad CCI – precio económico Valor excepcional

    El mejor KD*P sin tensiones

    Alta relación de contraste
    Umbral de daño alto
    Voltaje bajo de 1/2 onda
    Espacio eficiente Ideal para láseres compactos
    Aberturas de cerámica Limpio y muy resistente a los daños
    Alta relación de contraste Espera excepcional
    Conectores electricos rapidos Instalación eficiente/fiable
    Cristales ultraplanos Excelente propagación del haz
    Voltaje de onda 1/4 3,3 kilovoltios
    Error de frente de onda transmitido < 1/8 de onda
    ICR >2000:1
    Videograbadora >1500:1
    Capacidad 6pF
    Umbral de daño > 500MW/cm2@1064nm, 10ns